MOSFET - Gunadarma

MOSFET Gunadarma-ppt Download

  • Date:16 Oct 2020
  • Views:4
  • Downloads:0
  • Size:632.50 KB

Share Presentation : MOSFET Gunadarma

Download and Preview : MOSFET Gunadarma

Report CopyRight/DMCA Form For : MOSFET Gunadarma


Transcription:

Metal Oxide Semiconductor FET Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakanmenjadi 2 yaitu D MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasidepletion enhancement .
Pada DMOSFET gerbang diisolasi dari kanal sehingga DMOSFETdapat juga diaktifkan dengan menggunakan tegangan gerbang VGS Semakin naik VGS konduksi dari source ke drain makin besar sehingga aruskanal semakin besar Sama seperti JFET maka DMOSFET juga terdapat 2 tipe yaitu tipe .
n dan tipe p E MOSFET yang hanya dapat bekerja pada modeoperasi enhancement Keterangan Enhancement perbaikan peningkatanDepletion penipisan 1.
Struktur DMOSFETn Channel depletion MOSFETshowing channel length L and channel width W 2 Depletion Type MOSFET Karakteristik.
Sket Kurva Sket Kurva karakteristik MOSFET tipedepletion dengan IDSS 10 mA danVp 4 V Jawab membuat kurva ID VGS dengan menentukan 4 titik ID .
ID IDSS ID IDSS 2 ID IDSS 4 ID 0 mACaranya menggunakan pers shokhley seperti pada JFET.
Enhancement MOSFETSeperti halnya pada DMOSFET EMOSFET jugamempunyai oksida logam tapi drain dan sourcetidak terhubung dalam satu kanal melainkandipisahkan oleh substrat .
Dalam hal ini untuk mendapatkan arus makaharus diberikan tegangan yang cukup ke gerbang VG Untuk EMOSFET kanal N tegangan antaragate dan source VGS minimum yangmenyebabkan mengalirnya arus disebut tegangan.
ambang batas threshold VT Enhancement Type MOSFET n Channel enhancement MOSFETshowing channel length L and channel width W enhancement mode n channel MOSFET.
Enhancement Type MOSFETI D k VGS VT I D on GS on VT Sket Kurva Karakteristik n channel.
Enhancement type MOSFET dengan ID on 10 mAVGS on 8V Jawab membuat kurva ID VGS dengan menentukan 4 titik ID ID ID on .
ID ID on 2 ID ID on 4 ID 0 mA Karakteristik p channel PRINSIP KERJA.
For vGS Vto the pn junction between drain and bodyis reverse biased kaki Drain dan source belum tehubung Sehingga iD 0 vGS Vto terbentuk saluran n vGS bertambah saluran membesar vDS.
Besarnya I D sebanding dengan vDS 17 vDS bertambah saluran mengecil di drain danLaju pertambahan iD melambatSaat vDS vGS Vto iD tetap daerah saturasi Perbedaan Kurva Karakteristik transfer.
3 jenis FETID versus vGS in the saturation regionfor n channel devices p Channel FET circuit symbols Sama dengan n channel devices .
kecuali arah panahArial Times Tahoma Wingdings Default Design Microsoft Equation 3.0 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Slide 2 Depletion Type MOSFET Slide 4 Karakteristik Sket Kurva Simbol Enhancement MOSFET Enhancement-Type MOSFET Slide 10 Slide 11 Enhancement-Type MOSFET Slide 13 Karakteristik ( p-channel) Simbol Slide 16 Slide 17 Slide 18 LAMPIRAN Slide ...

Related Presentations